您的位置:网站首页 > 汽车科技 > 正文

中国汽车半导体市场生态与封测技术发展趋势(上)

类别:汽车科技 日期:2021-3-23 1:46:03 人气: 来源:

  这种趋势下,汽车电子作为支撑汽车行业向前发展的重要技术,其成本占比也在节节攀高。在本篇文章中,我们将对汽车半导体市场生态与封测技术的趋势做出讨论。

  汽车产业一直是一个国家综合国力的体现,它不仅能够代表着国家制造业实力的整体水平,也是拉动经济发展的重要引擎。根据中国汽车工业协会发布的最新数据,国内汽车市场全年销量好于预期,自2020年4月份开始同比持续保持增长,全年总销量约达2531万辆,销售量继续蝉联全球第一。

  1.国家和地方政策的大力支持。特别是2020年国家印发的《智能汽车创新发展战略》和《新能源汽车产业发展规划(2021-2035年)》,加快推动了汽车产业的创新和高质量发展。

  2.汽车行业的自身驱动。老牌OEM厂商加快布局智能网联技术及出行服务体系,以及像特斯拉、蔚来、小鹏等“互联网造车新”的爆发,对传统汽车产业和厂商形成了强有力冲击,不断驱动产业变革和创新。

  3.市场消费需求的明显恢复。得益于中国对新冠疫情的积极防控,社会整体经济状况得到较快恢复,进一步刺激了汽车消费市场的强劲复苏。有最新数据表明,2020年全球汽车销量总计7803万辆,较去年同比下降13%,国内汽车销量仅下降2%,明显好于全球市场。且中国汽车市场销量占全球汽车市场销量份额由2019年的29%上升至2020年的32%。

  目前汽车电子产业链呈现专业化与多元化发展,产业链上游主要为汽车电子半导体,包括半导体车载芯片与汽车电子元器件等。中游为汽车电子系统集成开发商,主要负责进行模块化功能的设计、生产与销售,并针对上游零部件及元器件进行整合。下游则是汽车整车厂商,主要以各大汽车企业为主。当下汽车产业集中度高,五行缺木的女孩名字例如产业链中游的一级供应商中,排名前十的厂商市占率约为70%。

  全球汽车电子产业资源主要集中在、欧洲与亚洲地区,我国在汽车电子领域相对起步较晚,鉴于汽车半导体行业的特殊性,例如行业壁垒高、产品认证周期长、可靠性要求高等特性,目前国内汽车产业链仍存在一些问题:汽车芯片主要依赖国外进口,且芯片紧缺;半导体元件国产化率低;厂商缺乏完整开发汽车电子产品的经验等。

  我国汽车电子行业在相关政策的支持下将会迎来快速发展时期。未来随着智能化、网联化、电动化趋势的进一步深化,汽车制造的核心部件将会发生转变,它们或将从体现动力和操控系统的部件向体现智能驾驶水平的处理器和AI芯片转变。届时,汽车产业链中将涌入更多的科技巨头与芯片制造商,而芯片技术的突破与创新也会成为汽车企业在这一场竞争中成功的关键。

  文章出处:【微信号:gh_0837f8870e15,微信号:长电科技】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  40年前,一位名为阿利耶•艾维拉姆(Arieh Aviram)的纽约大学研究生采用了一个大胆的为....

  大立科技三季报对2020年全年经营业绩的预计,净利润3.8亿元~4.5亿元,增长179.88%~23....

  英特尔和福特汽车公司的代表声称,除非美国为在国内生产提供更多激励措施,否则外国半导体、电动汽车电....

  有韩国发布消息称,韩国半导体生产商三星电子透露,该企业已与谷歌达成合作协议,将作为其自动驾驶技术....

  近日,SEMICON CHINA 2021在上海新国际博览中心举办,来自行业、科研机构和的高层管....

  首先非常感谢麦姆斯咨询提供的这次机会,借此机会也让业内的同行与用户更深入全面地了解微视传感。微视....

  针对汽车芯片供应紧张问题,工业和信息化部日前举办汽车半导体供需对接专题研讨会,并发布了《汽车半导体供....

  LTT东京运输物流展于2021年3月9日-12日在日本如期举行。顾名思义,当下先进的物流技术、物流产....

  众所周知,山东以种植小麦为主,是小麦大省。山东的小麦一般为冬小麦,在九月下旬到十月上旬之间播种,生育....

  这几年,台积电在半导体工艺上一策马扬鞭,春风得意,能够追赶的也只有三星了,但是后者的工艺品质一直饱....

  公司专注于第三代半导体碳化硅(SiC)MOS芯片设计、功率模块生产及其在新能源领域的应用系统开发,包....

  据报道消息:百度AI芯片部门昆仑完成了新一轮融资,估值为20亿美元。一位消息人士称,此次募资是在....

  从上个世纪70年代开始,双向可控硅(又称三端双向晶闸管)一直用于控制交流负载,几乎在所有电器上都能看....

  无论是基础功率半导体器件如:整流二极管( Rectifier diodes 简称RD,含快恢复整流二....

  半导体存储器能存储大量二值信息,是数字系统不可缺少的部分, 半导体存储器是一种能存储大量二值信息的....

  SX1308的输入电压下限是2伏,有没有能实现类似功能的,输入电压下限尽可能小的其它芯片? ...

  如果我们从同一个供应商处购买ASIC,软件、计算,存储或网络设备,这是毫无问题的。但是,如果这是唯一....

  与比亚迪的第一次“交锋”,就让股神巴菲特吃了一个闭门羹。当时巴菲特想要入股20%,但是被王传福了....

  工业的“血液”叫石油,工业的“粮食”是芯片,而工业的“维生素”,名曰稀土。在全球的工业体系中,中东控....

  2021年因受到车用、工业与通讯需求助力,第三代半导体成长动能有望高速回升。其中又以GaN功率器件的....

  半导体存储芯片DRAM价格目前仍处在上涨的趋势,与年初相比涨幅约6成左右,创2019年3月以来的最高....

  一:电阻 电阻,因为物质对电流产生的阻碍作用,所以称其该作用下的电阻物质。电阻将会导致电子流通量的变化,电阻越小...

  晶闸管(SCR)是一种半导体开关器件。早在1956年,Moll等人就发表了这种开关器件的理论基础。

  因全球芯片短缺,多家车企与电子行业都面临亏损及停产状态。然而就在近日,半导体巨头瑞萨电子表示,这种芯....

  大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下,外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散,并乘....

  2021 年,DDR3内存价格受缺货影响预上涨 40%-50%,春节之后的价格就已经上涨至3.3美元....

  东京——东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)今日宣布了一种可提高碳化硅(SiC)MOSFE....

  电力电子在当今世界无处不在:半导体的隐藏功能,可实现广泛应用,从家电和消费品到数据处理和无线网络,再....

  LED是一个非线性器件,正向电压的微小变化会引起电流的巨大变化;LED是一个半导体二极管,其伏安特性....

  电源控制和电源管理之间的区别,是关于数字电源讨论中的关键概念。爱立用“电源控制”术语来强调电源供....

  2021年3月9日,江苏省产业技术研究院(以下简称“产研院”)组织2020年度绩效成绩现场凭证核查工....

  2021年3月9日,汤河子开发区副主任何平一行来华进公司调研。公司总经理助理孙宏伟热情接待。 ....

  在半导体应用领域,玻璃是一种多功能的通用材料 。 玻璃是日常生活中常见的材料,随处可见,包括窗户、眼....

  一项芯片规则实施之后,欧洲半导体没有一家企业拿到许可,高端EUV光刻机无法向特定客户出货,就连芯片设....

  最近备受业界瞩目的武汉弘芯迎来了解散的结局,据最新消息称武汉弘芯半导体公司已通知要求全体员工于 ....

  2021年的3月初,中芯国际通告称公司与ASML阿斯麦公司签订购买协议:2021年2月1日,中芯....

  国星半导体为国星光电的全资子公司,主要业务为研发、生产和销售蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯....

  而随着汽车产业电动化、智能化、网联化、数字化的概念提出,业界对于高性能的车载芯片需求将不断扩大,我国....

  现如今,人们对产品性能的追求不断提高,芯片的应用越来越广泛,芯片的良率、质量备受关注。控制生产过程使....

  湖南省2021年电子信息制造业重点项目名录新鲜出炉,长沙新一代半导体研究院位列其中! 排号第7~ 近....

  天天都在用电子元器件,里面长什么样? 想看看吗? 今天小编带大家看看电子元器件不为人熟知的内部结构~....

  随着汽车产业“缺芯”事件持续发酵,“”期间有四位来自车企的全国代表建言推动汽车芯片的产业化发....

  由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设....

  小编看一个半导体行业的重大消息,3月11日,中、美两国半导体行业协会宣布将共同成立“中美半导体产业技....

  有人说是阿秒激光器(attosecond),但目前阿秒激光是科研热点,全球还没有成熟的商用阿秒激光器....

  3月6日,国星光电发布公告称,公司拟以自有资金2.2亿元对国星半导体进行增资,本次增资完成后国星半....

  这两年,半导体业被追捧的热度以及所承受的压力,就如李雪琴在脱口秀大会上的段子。 2020年下半年....

  据中国海关总署周日发布的数据显示,今年前两个月,中国进口了964亿半导体器件,比去年同期增长了36%....

  公告继续指出,通过本次交易,公司将在发挥半导体材料领域优势的同时,紧抓集成电芯 片设计、半导体功率....

  TexasInstruments公司推出的混合信号微控制器MSP430系列时常要碰到不同电压、电平的接口问题,比如在一个混合系统中如何解决...

  汽车中的电子系统日益增多、越来越复杂,提高电源 IC 性能的目的是允许设计适应这种状况的电子系统。促进汽车中电子系统增长的...

  半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件,当直流电通过两种不同半导体材料成的电偶时,在电偶的两端即...

  LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz

  低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和电阻校正的 ±1°C 双远程和本地温度传感器

  TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Intece Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

  LP8733-Q1 LP8733-Q1 双高电流降压转换器和双线专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS3840系列电压器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线抗扰度,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM 出色...

  LM96000硬件器具有与SMBus 2.0兼容的双线测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线位ΣΔADC VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 5条VID控制线针TSSOP封装 XOR-tree测试模式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

  LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确其自身温度

  针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入

  用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的。当的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁点(B RP )阈值时,输出变为高。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流,过流检测和过压电,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转 推 - 拉输出 250ns延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池峰值电压器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT峰值电压器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双LM2904LV和四LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  

0
0
0
0
0
0
0
0
下一篇:没有资料

相关阅读

网友评论 ()条 查看

姓名: 验证码: 看不清楚,换一个

推荐文章更多

热门图文更多

最新文章更多

关于联系我们 - 广告服务 - 友情链接 - 网站地图 - 版权声明 - 人才招聘 - 帮助

声明:网站数据来源于网络转载,不代表站长立场,如果侵犯了你的权益,请联系站长删除。

CopyRight 2010-2016 科技创新信息网- All Rights Reserved